Компания Kioxia опубликовала обновлённый вариант своей «дорожной карты», из которой стало известно, что грядущая 332-слойная флеш-память BiCS 10-го поколения сможет предложить ёмкость всего 2 Тбит. Хотя этот показатель выглядит не слишком впечатляющим — такая же ёмкость у актуальных 218-слойных чипов, — производитель намекнул на возможность выпуска в рамках 10-го поколения чипов флэш-памяти большей ёмкости без использования технологии Penta-Level Cell (PLC).
В настоящее время 332-слойная память NAND находится на этапе разработки. Он является частью того, что Kioxia называет «двухосевой стратегией» развития направления. Эта стратегия разделяет разработку на два направления: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и повышение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA), которая позволяет повысить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление. По данным Kioxia, такой подход позволяет увеличивать ёмкость без ущерба для долговечности.
В настоящее время 332-слойная память NAND находится на этапе разработки. Он является частью того, что Kioxia называет «двухосевой стратегией» развития направления. Эта стратегия разделяет разработку на два направления: увеличение количества слоёв для повышения ёмкости и повышение производительности за счёт архитектуры Charge-Based Architecture (CBA), которая позволяет повысить пропускную способность, уменьшить задержки и снизить энергопотребление. По данным Kioxia, такой подход позволяет увеличивать ёмкость без ущерба для долговечности.
Источник: https://3dnews.ru