Южнокорейская компания SK hynix, как отмечает издание Business Korea со ссылкой на отраслевые источники, собирается в следующем году опубликовать результаты своих разработок по интеграции микросхем памяти методом «2,5D Fan-out». Он подразумевает соединение двух чипов встык и до этого при производстве микросхем памяти не применялся.
Этот новый метод предлагает располагать два чипа DRAM рядом друг с другом горизонтально, а затем объединять их, как если бы они были одним чипом. Характерной особенностью является то, что готовая микросхема получается тоньше, так как под чипы не добавляется подложка.
Как известно, вертикальная интеграция микросхем памяти типа HBM позволяет значительно увеличить пропускную способность интерфейса, но это весьма дорогой метод, а так называемый «2,5D Fan-out» мог бы стать разумной альтернативой при производстве других микросхем типа DRAM. Предполагается, что SK hynix такой метод интеграции применит при выпуске памяти типа GDDR для графических процессоров игрового уровня.
Источник: 3dnews.ru
Этот новый метод предлагает располагать два чипа DRAM рядом друг с другом горизонтально, а затем объединять их, как если бы они были одним чипом. Характерной особенностью является то, что готовая микросхема получается тоньше, так как под чипы не добавляется подложка.
Как известно, вертикальная интеграция микросхем памяти типа HBM позволяет значительно увеличить пропускную способность интерфейса, но это весьма дорогой метод, а так называемый «2,5D Fan-out» мог бы стать разумной альтернативой при производстве других микросхем типа DRAM. Предполагается, что SK hynix такой метод интеграции применит при выпуске памяти типа GDDR для графических процессоров игрового уровня.
Источник: 3dnews.ru